Основной целью встречи на предприятии НМ-ТЕХ стала демонстрация первых результатов в освоении новой технологической ноды – 90 нм КМОП-процесса. В мероприятии приняли участие эксперты из 33 отечественных компаний и дизайн-центров. Переход на топологический уровень 90 нм позволит расширить производственные мощности, ориентированные на выпуск широкого спектра гражданской микроэлектроники.
Протестированные в кремнии параметры транзисторов 90 нм подтвердили соответствие проектным моделям, а гибкая технологическая платформа позволяет настраивать их характеристики под конкретные задачи. Все это дает возможность гибко управлять опциональностью технологии: от сверхкомпактного низкопотребляющего техпроцесса до высокопроизводительного, и от сугубо цифрового КМОП до СВЧ-исполнения.
Внедренная в маршрут медная металлизация (Cu BEOL) снижает электрическое сопротивление разводки и тем самым ускоряет прохождение сигналов, что дает возможность проектировать и ставить на производство высоконагруженные микропроцессоры. Сравнительный PPA-анализ на базе архитектуры RISC-V наглядно доказал, что уменьшение топологии со 130 нм до 90 нм в LPC-варианте позволяет делать чипы компактнее и производительнее. Представленные правила проектирования и базовые элементы PDK открывают широкие возможности для развития библиотек под запросы дизайн-центров – от создания компактных СВЧ-устройств до решений, стойких к спецфакторам.
Открытая дискуссия была посвящена обсуждению совместных проектов. Наличие локального техпроцесса 90 нм сократит сроки адаптации чипов, избавит дизайн-центры от необходимости перепроектировать устройства под устаревшие нормы. Участники поделились своим виденьем и требованиями к развитию технологии, которые позволят им реализовывать свои проекты на отечественных мощностях, снижая зависимость от зарубежных фабрик.
Протестированные в кремнии параметры транзисторов 90 нм подтвердили соответствие проектным моделям, а гибкая технологическая платформа позволяет настраивать их характеристики под конкретные задачи. Все это дает возможность гибко управлять опциональностью технологии: от сверхкомпактного низкопотребляющего техпроцесса до высокопроизводительного, и от сугубо цифрового КМОП до СВЧ-исполнения.
Внедренная в маршрут медная металлизация (Cu BEOL) снижает электрическое сопротивление разводки и тем самым ускоряет прохождение сигналов, что дает возможность проектировать и ставить на производство высоконагруженные микропроцессоры. Сравнительный PPA-анализ на базе архитектуры RISC-V наглядно доказал, что уменьшение топологии со 130 нм до 90 нм в LPC-варианте позволяет делать чипы компактнее и производительнее. Представленные правила проектирования и базовые элементы PDK открывают широкие возможности для развития библиотек под запросы дизайн-центров – от создания компактных СВЧ-устройств до решений, стойких к спецфакторам.
Открытая дискуссия была посвящена обсуждению совместных проектов. Наличие локального техпроцесса 90 нм сократит сроки адаптации чипов, избавит дизайн-центры от необходимости перепроектировать устройства под устаревшие нормы. Участники поделились своим виденьем и требованиями к развитию технологии, которые позволят им реализовывать свои проекты на отечественных мощностях, снижая зависимость от зарубежных фабрик.